Nuevo tipo de memoria Flash desarrollado en Japón
El Instituto Nacional de Ciencia y Tecnología Industrial Avanzada de Japón (en inglés, Japan’s National Institute of Advanced Industrial Science and Technology o AIST), ha desarrollado un nuevo tipo de memoria NAND flash que consume mucho menos que las memorias actuales y podrá ser reescrita muchas más veces.
Los datos concretos que se conocen de este nuevo tipo son:
- Está basado en transistores FeFET (transistores de efecto-campo de puerta ferroeléctrica (en inglés ferroelectric gate field-effect transistors).
- Si lo primero no os dice nada, esto lo hará. Las memorias flash actuales consumen en torno a 20 voltios, mientras que este nuevo tipo consumirá algo menos de 6 voltios, lo cual es un gran avance (imaginaos que el iPhone 3G pueda durar 10 h encendido :-O)
- Además este nuevo tipo de memoria puede ser escrito y borrado más de 100 millones de veces, que ya son unas cuantas. No sé cuanto aguantan las memorias actuales, pero sospecho que menos.
Yo sólo espero que consigan meter este gran avance en el sector comercial cuanto antes… Supondrá un aumento en la autonomía de muchísimos dispositivos, y también alargar su vida útil, aunque lo de que un gadget te dure más de 3 años parece de lo más raro últimamente.
Fuente: Engadget
«Accelerated adrenalin rush for future people. Slow minds will fear it!»
«Enfrenta el riesgo y duplica la ganancia». Soy un investigador de empresas startups e inversores en la bolsa. Desarrollo estrategias en el mercado de divisas y trabajo como periodista economista.
Escribe lo siguiente 100 veces: «El voltio no es una unidad de potencia». 😉